韩拯
VITTO HAN
山西大学光电研究所教授，博士生导师。
vitto.han@lam.ln.cn
韩拯教授兼任辽宁材料实验室，材料量子调控技术研究所所长、PI。主要负责极限条件下材料量子调控与新原理电子器件学科方向。
入选国家海外青年人才计划、国家级特殊支持计划领军人才；曾获“山西五四青年奖章”、“山西省五一劳动奖章”、“MIT科技评论中国区35岁以下创新35人”等荣誉。
他主要从事基于量子效应的新原理半导体、 颠覆性介观电子器件等领域的创新研究。他以范德华层状纳米材料为原材 料，通过设计独特的纳米结构，在基于量子效应的半导体、颠覆性介观电 子器件、纳米材料量子调控技术等领域取得了系列研究突破，最具代表的 有:演示了本征二维磁性半导体自旋场效应管;成功制备了 0.6 nm 垂直导 电通道宽度，将 FinFET 的鳍片宽度降低至到亚纳米尺度，几乎达到物理 极限等。
近两年，他与合作者提出一种通过电荷调制超晶格对材料进行量 子调控的实验方法，基于此开展了界面电荷序对高迁移率狄拉克费米子量 子输运影响的实验研究。实现了关联效应诱发的极具鲁棒性量子霍尔态， 系统地将亚 0.5 T 磁场下可以实现的量子化边界导电态从液氮温度提升至 液氮温度以上，为目前记录(Nat . Nanotechnol. 17, 1272, 2022);发现了界 面电荷序耦合的双层石墨烯中临界温度高达 40 K 的激子绝缘态，演示了 基于量子效应的半导体逻辑器件原型(Nat . Commun. 14, 2136, 2023);发现 了量子界面掺杂效应并演示了二维 CMOS 逻辑电路的三维集成原型 (Nature 630, 346, 2024) -- 这些发现有望为新奇量子电子态的基础研究和 量子电阻标准等应用开发起到积极推动作用。
