材料量子调控技术研究所 Institute of Quantum Materials and Devices
新型高迁移率低维半导体 查看更多>>

寻找实现高迁移率二维半导体的方法或材料体系,并在其电子器件中观测量子霍尔态等物理效应,是凝聚态物理以及纳米电子学的重要课题,也是IQMD的主要研究方向之一 -- 基于新材料体系的理论预测、实验探索,来实现面向未来极端条件应用场景的​新型二维高迁移率半导体。

电荷转移电子学 查看更多>>

人们一直在寻找人工可控的超晶格制备方法来实现对其上方复合的二维电子气的能带调控工程。例如,自组装的纳米球、微纳加工的纳米级沟道或孔洞阵列等等。但截至目前,这些人工超晶格受限于微加工尺寸精度等影响,所能发挥的能带调控作用较为有限 -- 电荷转移电子学似乎可以提供一个新的思路。

更宽松条件(高温、低磁场)下的量子霍尔边缘态 查看更多>>

IQMD研究团队从库伦作用角度构建“电荷调制超晶格”的方法,通过Wigner电子长程序对其上方二维电子气产生能带调控,将亚0.5 T磁场下可实现的量子霍尔态从液氦温度系统地提升至液氮温度。基于此效应的QHE电阻标准研究是IQMD的主要研究方向之一。

新型高迁移率低维半导体

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电荷转移电子学

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更宽松条件(高温、低磁场)下的量子霍尔边缘态

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