维度效应是能够有效调控材料物理性质的一个重要参量。

近年来，限域生长制备特殊性能的低维材料备受关注。尤其是二维范德华材料的层间亚纳米尺度界面可以作为良好的二维限域环境，在例如超高质量碳纳米带、单质二维半导体纳米片等研究方面不断获得突破，为新型介观量子电子器件的研究提供了重要材料基础。

李小茜等人针对近期一项基于二维限域电化学沉积生长金属单质镍纳米片的实验研究，撰写了观点论文（News & Views）(图1)。由于亚纳米尺度的层间间距小于镍金属的临界形核尺寸，因而限域生长的镍纳米片倾向于形成二维面内高度取向的晶界。进一步通过脱模得到的该金属纳米片具有高达三个数量级的面内电导率各项异性，并能够用来演示各向异性逻辑器件原型。总的来说，限域方法制备低维纳米材料的技术在材料微结构调控方面存在巨大潜力，其可能展现出的新奇物理特性十分令人期待。

图1. 基于二维范德华层间限域电化学沉积和脱模方法制备的具有高度取向晶界金属纳米片示意图

（来源：Nature Synthesis）。

原文链接

https://www.nature.com/articles/s44160-024-00686-3