技术参数：

1. * 设备可实现高分辨电子束曝光，最小特征尺寸不大于10 nm

2. * 采用肖特基热场发射电子束源，加速电压不低于50 KV

3.     图形发生器扫描频率为50MHz。

4. * 设备可实现自动聚焦、象散、写场畸变等校准功能；实现多样片自动套刻曝光。

5.     束电流范围为~50 pA – ~40 nA。

6. * 束流及束斑位置可长时间稳定，实验室温度波动小于± 2℃（短时间波动小于± 0.5℃/h），束流稳定性不大于±0.2%/h，束斑位置稳定性不大于120nm/8h。

7.     最大写场不小于500um。

8. * 提供激光干涉工作台，该工作台的移动范围不小于150 x 150(XY)，激光干涉仪分辨率不大于1 nm。 拼接/套刻精度：不大于20 nm (|mean| + 3 · sigma) @100 um写场；不大于30 nm (|mean| + 3 · sigma) @500 um写场。

9. * 设备配备自动高度传感器，实现样品表面高度的自动探测和聚焦。高度探测重复性不大于1um

10. * 配备温度屏蔽罩，实验室温度波动小于± 2℃（短时间波动小于± 0.5℃/h）的情况下设备可长时间稳定运行。

11. 提供一个通用样品架，可承载散片或4英寸晶圆及以下的样片。提供一个多样片样品架

12. 系统软件基于Windows操作系统，采用界面友好界面，多用户管理的模式，设计人性化，操作简单。无需格式转换，系统即可接受GDSII格式。

13. * 具备成像度量功能，并可在在线或离线的状态下进行图形测量。

14. * 电子束扫描方式多种多样，如矢量扫描模式、单像素点/线扫描模式、无需对圆或环进行分割的圆形扫描模式等，用户可根据实际需要灵活选择。

15. * 配备专业的邻近效应修正软件，用于修正电子束曝光过程中的邻近效应。