量子所研究人员提出低温强磁场下新原理磁强计
辽宁材料实验室材料量子调控技术研究所团队与国内外多家单位合作，在大角度转角双层石墨烯体系中发现了电位移矢量与磁场的比值（D/B）量子化新机制。团队利用该比值的量子化特性，观测到了朗道能级交叉点处的量子化“中国结”图案，并据此提出一种可用于低温强磁场环境下的新原理磁传感器。
2026-01-25
量子所在菱方石墨烯的莫尔平带中观测到偶数填充的量子反常霍尔态
截至目前，在石墨烯莫尔超晶格平带体系中，实验上观测到的量子反常霍尔效应大多出现在奇数填充情况（即每个莫尔超胞中电子或空穴数目为ν=1或3），而在偶数填充（ν=2）时通常只能观察到关联绝缘态。偶数填充时量子反常霍尔效应的缺失，引发了众多物理机制的探究，凸显出调控莫尔体系电子基态依然面临着挑战。
2026-01-06
量子所利用DNA折纸二维晶格实现二维电子态的调制
近日，辽宁材料实验室、山西大学光电研究所与光量子技术与器件全国重点实验室与南京大学、中国医科大学附属第一医院、中科院半导体研究所、清华大学、日本国立材料研究所等多家单位合作，将DNA折纸二维晶格与二维范德华材料结合，构建出独特的二维软-硬物质界面，并观察到DNA折纸二维晶格对石墨烯电子态的调控作用。
2025-03-13
量子所研究人员在Nature Synthesis杂志发表观点文章
近期，山西大学光电研究所特聘副教授、辽宁材料实验室兼聘研究员李小茜等人以“Metallic nanosheets fill the gap”为题在《自然•合成》（Nature Synthesis）杂志在线发表观点文章。
2024-10-15
量子所在高迁移率二维半导体中观测到分数量子霍尔效应
辽宁材料实验室研究人员在二硫化钼的n型半导体场效应晶体管的低温欧姆接触稳定可靠制备方面取得了最新进展。采用窗口接触技术，在硫化钼晶体管中获得全温区（mK至室温）欧姆接触和高迁移率。在毫开尔文温度、强磁场下观测到填充系数niu=1的量子极限和⅖、⅘填充的分数量子化横向电导平台。
2024-10-30
界面量子效应掺杂新范式助力三维互补逻辑电路制造
基于二维半导体构建三维集成电路为解决摩尔危机提供了一条可行路径，然而由于缺乏稳定、无损的掺杂技术，该领域研究进展迟缓。材料量子调控技术研究所团队提出了一种颠覆性的基于界面量子电荷序的p-掺杂二维半导体的方法，该方法工艺简单、效果稳定、并且可以有效保持二维半导体本征的优异性能。基于该方法，团队在国际上率先演示了垂直集成度为4的三维互补逻辑电路NAND、SRAM等器件的制备。该方法打破了硅基逻辑电路的底层“封印”，为后摩尔时代二维半导体器件的发展提供了新思路。
2024-05-29
